MENS芯片制造方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113415783 A (43)申请公布日 2021.09.21 (21)申请号 202110690393.3 (22)申请日 2021.06.22 (71)申请人 浙江森尼克半导体有限公司 地址 311200 浙江省杭州市萧山区杭州湾 信息港C座507 (72)发明人 郑律　陈江　夏凌辉　陈志明　 陈明法　马可军　俞振中　 (74)专利代理机构 南京乐羽知行专利代理事务 所(普通合伙) 32326 代理人 孙承尧 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图4页 (54)发明名称 MENS芯片制造方法 (57)摘要 为了解决现有技术的不足之处，本申请提供 了一种MENS芯片制造方法,包括如下步骤:利用 第一胶层将一个功能层粘贴至一个牺牲层的第 一侧；利用第二胶层将一个基板粘贴至所述牺牲 层的第二侧；加工贯穿所述基板和所述第二胶层 的预制腔；加工所述功能层以形成芯片图形；沿 所述预制腔加工所述牺牲层以形成贯穿所述基 板、第二胶层和牺牲层的终制腔。本申请的有益 之处在于提供了一种步骤合理且又能保证支撑 强度的MENS芯片制造方法。 A 3 8 7 5 1 4 3 1 1 N C CN 113415783 A 权　利　要　求　书