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发明

一种钯钌基高熵合金纳米片及其制备方法和应用2024

2024-04-04 07:26:58 发布于四川 4
  • 申请专利号：CN202410216820.8
  • 公开（公告）日：2024-05-28
  • 公开（公告）号：CN117798357A
  • 申请人：华北电力大学
摘要：本发明提供了一种钯钌基高熵合金纳米片及其制备方法和应用，涉及催化剂技术领域。本发明提供的钯钌基高熵合金纳米片包括钯元素、钌元素和辅助金属元素；所述辅助金属元素包括锇元素、铱元素、铼元素、锰元素、铑元素和铂元素中的至少三种；所述钯钌基高熵合金纳米片具有面心立方晶格单相固溶体结构以及二维纳米片形貌特征；所述钯钌基高熵合金纳米片的厚度为1~2nm。本发明提供的钯钌基高熵合金纳米片高效稳定、具有优异甲酸氧化电催化性能，其制备方法简易可行、便于大批量生产。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117798357 A (43)申请公布日 2024.04.02 (21)申请号 202410216820.8 H01M 4/92 (2006.01) B01J 23/656 (2006.01) (22)申请日 2024.02.28 B01J 35/40 (2024.01) (71)申请人 华北电力大学 B01J 35/50 (2024.01) 地址 102206 北京市昌平区回龙观镇北农 路2号 (72)发明人 刘建国　孙英俊　温佳豪　李佳　 杨天让　 (74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569 专利代理师 王苗苗 (51)Int.Cl. B22F 1/054 (2022.01) C22C 30/00 (2006.01) B22F 9/24 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种钯钌基高熵合金纳米片及其制备方法 和应用 (57)摘要 本发明提供了

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