一种制备半导体用超纯氨的装置及工艺

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114560476 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210167909.0 (22)申请日 2022.02.23 (71)申请人 湖北和远气体股份有限公司 地址 443500 湖北省宜昌市长阳土家族自 治县龙舟坪镇龙舟大道52号（馨农家 园）2栋1102号 (72)发明人 江罗　杨涛　杜大艳　方强　 曹小林　焦文艺　 (74)专利代理机构 武汉天领众智专利代理事务 所(普通合伙) 42300 专利代理师 林琳 (51)Int.Cl. C01C 1/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图1页 (54)发明名称 一种制备半导体用超纯氨的装置及工艺 (57)摘要 本发明公开了一种制备半导体用超纯氨的 装置及工艺，所述装置包括依次连通的汽化单 元、用于脱硫脱水的预处理单元、脱轻单元、脱重 单元和用以除水、氧和金属的后纯化单元，及用 于对汽化单元和精馏系统加热的供热系统；所述 装置可便捷高效地除去水、氧及金属等杂质获得 超纯氨；此外供热系统的介质既提供热源，又提 供冷源，实现连续化节能生产；高低沸点组分的 脱除可作为工业氨回收利用，无废气排放。 A 6 7 4 0 6 5 4 1 1 N C CN 114560476 A 权　利　要　求　书