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存储器器件及其操作方法2024

2024-04-16 07:33:13 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202110679043.7
  • 公开(公告)日:2024-04-12
  • 公开(公告)号:CN113488090A
  • 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
摘要:公开了一种存储器器件,包括多个磁阻随机存取存储器单元,该等磁阻随机存取存储器单元包括第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元。第一一次性可编程选择晶体管连接至第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元。该第一一次性可编程选择晶体管被配置为选择性地向第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元施加击穿电流以将第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元写入成击穿状态。本发明的实施例还公开了一种操作存储器器件的方法。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113488090 A (43)申请公布日 2021.10.08 (21)申请号 202110679043.7 (22)申请日 2021.06.18 (30)优先权数据 63/041,508 2020.06.19 US 17/222,213 2021.04.05 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹 (72)发明人 李伯浩 李嘉富 史毅骏  (74)专利代理机构 北京德恒律治知识产权代理 有限公司 11409 代理人 章社杲 李伟 (51)Int.Cl. G11C 11/16 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图9页 (54)发明名称 存储器器件及其操作方法 (57)摘要 公开了一种存储器器件,包括多个磁阻随机 存取存储器单元,该等磁阻随机存取存储器单元 包括第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单 元。第一一次性可编程选择晶体管连接至第一一 次性可编程磁阻随机存取存储器单元。该第一一 次性可编程选择晶体管被配置为选择性地向第 一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元施加 击穿电流以将第一一次性可编程磁阻随机存取 存储器单元写入成击穿状态。本发明的实施例还 公开了一种操作存储器器件的方法。 A 0 9 0 8 8 4 3 1 1 N C CN 113488090 A 权 利 要 求 书

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