非易失性存储器单元的编程方法及非易失性存储器设备

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112885395 A (43)申请公布日 2021.06.01 (21)申请号 202011361631.8 (22)申请日 2020.11.27 (30)优先权数据 62/942,086 2019.11.30 US 16/951,927 2020.11.18 US (71)申请人 赛米布莱恩有限公司 地址 韩国京畿道 (72)发明人 宋承桓　 (74)专利代理机构 北京金宏来专利代理事务所 (特殊普通合伙) 11641 代理人 朴英淑 (51)Int.Cl. G11C 16/34 (2006.01) G11C 16/12 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图17页 (54)发明名称 非易失性存储器单元的编程方法及非易失 性存储器设备 (57)摘要 本申请涉及非易失性存储器单元的编程方 法及非易失性存储器设备。描述了一种用于在存 储器阵列中所选的存储器单元的选择性非易失 性存储器编程方法，以减少或避免对未选择的存 储器单元的编程干扰。该选择性编程方法包括： 将编程脉冲施加到所选择的待编程的存储器单 元和未选择的存储器单元，其中，编程脉冲允许 未选择的存储器单元在预定范围内变化；使未选 择的存储器单元的区域升压；以及设定编程脉冲 的阈值时间，其中，阈值时间定义为未选择的存 储器单元的浮置栅极与未选择的存储器单元的 A 所升压的区域之间的电压差异的绝对值达到定 5 义的阈值时的时