用于分段静态随机存取存储器（SRAM）阵列输入/输出的内置自测试电路2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117636994 A (43)申请公布日 2024.03.01 (21)申请号 202311095008.6 (51)Int.Cl . G11C 29/12 (2006.01) (22)申请日 2023.08.29 G11C 29/14 (2006.01) (30)优先权数据 63/402,182 2022.08.30 US 18/227,545 2023.07.28 US (71)申请人 意法半导体国际公司 地址 瑞士日内瓦 (72)发明人 H ·乔拉　T ·库玛　B ·辛格　 H ·拉瓦特　K ·J ·多里　 M ·阿约提亚瓦西　N ·乔拉　 P ·库玛　 (74)专利代理机构 中国贸促会专利商标事务所 有限公司 11038 专利代理师 张丹 权利要求书4页 说明书9页 附图8页 (54)发明名称 用于分段静态随机存取存储器（SRAM）阵列 输入/输出的内置自测试电路 (57)摘要 本公开涉及用于分段静态随机存取存储器 (SRAM)阵列输入/输出的内置自测试电路。存储 器的存储器阵列包括具有以行‑列矩阵布置的存 储器单元的子阵列，其中每行包括字线并且每个 子阵列的列包