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发明

用于半导体器件的编程方法及半导体器件

2023-04-22 08:51:52 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202111181318.0
  • 公开（公告）日：2024-10-15
  • 公开（公告）号：CN113889170A
  • 申请人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本发明公开了一种用于半导体器件的编程方法及半导体器件。所述半导体器件包括存储串，所述存储串包括依次堆叠设置的多个第一存储单元和第一虚设单元，每个所述第一存储单元与一个字线对应连接，所述第一虚设单元的栅极与第一虚设字线连接；所述方法包括：在预充电阶段，向所述多个第一存储单元中的已编程存储单元对应的字线输入预充电电压，所述已编程存储单元为所述多个第一存储单元中的待编程存储单元与所述第一虚设单元之间的存储单元；在编程阶段，向所述待编程存储单元对应的字线输入编程电压。本发明实施例能够降低编程干扰，且提高升压电势。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113889170 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202111181318.0 G11C 8/14 (2006.01) G11C 5/14 (2006.01) (22)申请日 2021.01.06 (62)分案原申请数据 202110010729.7 2021.01.06 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司 地址 430205 湖北省武汉市东湖新技术开 发区未来三路88号 (72)发明人 李楷威　贾建权　闵园园　崔莹　 宋雅丽　刘红涛　贾信磊　张安　 (74)专利代理机构 深圳紫藤知识产权代理有限 公司 44570 代理人 唐秀萍 (51)Int.Cl. G11C 16/34 (2006.01) G11C 16/04 (2006.01) 权利要求书3页 说明书8页 附图4页 (54)发明名称 用于半导体器件的编程方法及半导体器件 (57)摘要 本发明公开了一种用于半导体器件的编程 方法及半导体器件。所述半导体器件包括存储 串，所述存储串包括依次堆叠设置的多个第一存 储单元和第一虚设单元，每个所述第一存储单元 与一个字线对应连接，所述第一虚设单元的栅极 与第一虚设字线连接；所述方法包括：在

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