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PCT发明

带纳米线的膜及纳米线的制造方法

2023-05-19 11:18:20 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202080092107.7
  • 公开（公告）日：2022-08-12
  • 公开（公告）号：CN114901588A
  • 申请人：东丽工程株式会社
摘要：本发明提供在基材上直接生长有纳米线的带纳米线的膜、以及使纳米线在基材上直接生长的纳米线的制造方法。具体而言，带纳米线的膜具备由结晶性树脂构成的基材和在基材上直接生长的由金属氧化物构成的纳米线，在基材的表面形成微细的凹凸结构，使纳米线从该凹凸结构直接生长。另外，具备由非晶态的树脂构成的基材、和在基材上直接生长的由金属氧化物构成的纳米线，在基材的表面形成间距为2～100nm、深度为5～30nm的微细的凹凸结构，使纳米线从该凹凸结构直接生长。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114901588 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202080092107.7 (74)专利代理机构 北京三友知识产权代理有限 公司 11127 (22)申请日 2020.12.14 专利代理师 褚瑶杨　庞东成 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2020-001840 2020.01.09 JP B82B 1/00 (2006.01) 2020-100129 2020.06.09 JP B32B 3/30 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 B32B 5/02 (2006.01) 2022.07.07 B32B 9/00 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 B32B 27/12 (2006.01) PCT/JP2020/046475 2020.12.14

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