一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器
- 申请专利号:CN202211515157.9
- 公开(公告)日:2025-04-11
- 公开(公告)号:CN115744808A
- 申请人:江苏理工学院
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115744808 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211515157.9 (22)申请日 2022.11.30 (71)申请人 江苏理工学院 地址 213011 江苏省常州市中吴大道1801 号 (72)发明人 许马会 冯勇建 单文桃 韩振华 韩晓东 (74)专利代理机构 南京正联知识产权代理有限 公司 32243 专利代理师 杭行 (51)Int.Cl. B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) G01L 9/12 (2006.01) G01L 21/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器 (57)摘要 本发明公开了一种绝压接触式MEMS电容薄 膜真空传感器,包括传感器芯片,以及用于安装 传感器芯片的外壳,以及将传感器芯片封装在外 壳内的上壳;传感器芯片包括硼硅感压膜、硅基 底和玻璃基底,三者至上而下依次连接;硅基底 的一面设有腔体,硅基底将设有腔体一面与硼硅 感压膜直接键合,形成真空参考腔;真空参考腔 内设有抽气孔,通过硅基底的另一面与玻璃基底 阳极键合封堵抽气孔,真空参考腔形成高真空。 本发明通过在真空参考腔内部设有抽气孔,将形 成真空参考腔的技术转变为硅‑硅直接键合和 硅‑玻璃阳