发明

电荷消除电路模块、MRAM存储单元读出电路及存储系统

2023-05-14 11:37:18 发布于四川 3
  • 申请专利号:CN202210232804.9
  • 公开(公告)日:2025-03-25
  • 公开(公告)号:CN114639404A
  • 申请人:北京大学|||华为技术有限公司
摘要:本发明公开一种电荷消除电路模块、MRAM存储单元读出电路及存储系统。该读出电路包括第一位线电容、第二位线电容、位线电荷消除模块、耦合放大模块、耦合电荷消除模块、比较锁存模块,位线电荷消除模块可以将待比较的两条位线放电至相同的低电平或充电至相同的高电平,耦合放大模块不仅能将其两个输入端放电至相同的低电平,也能将输入端的信号放大,耦合电荷消除模块可以将耦合放大模块两个输出端放电至相同的低电平或充电至相同的高电平,防止了预充后两个节点电容上的电荷差、连接两个节点电容的两条支路的失配误差和上一次读出完成后的节点电容上的残余电荷对读出准确率的影响。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639404 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202210232804.9 G11C 8/08 (2006.01) (22)申请日 2022.03.11 (66)本国优先权数据 202210159672.1 2022.02.22 CN (71)申请人 北京大学 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号 申请人 华为技术有限公司 (72)发明人 叶乐 薛畅 张奕涵 陈沛毓  朱明伟 武蒙 黄如  (74)专利代理机构 北京致科知识产权代理有限 公司 11672 专利代理师 魏红雅 董玲 (51)Int.Cl. G11C 5/14 (2006.01) G11C 7/12 (2006.01) 权利要求书3页 说明书11页 附图6页 (54)发明名称 电荷消除电路模块、MRAM存储单元读出电路 及存储系统 (57)摘要 本发明公开一种电荷消除电路模块、MRAM存 储单元读出电路及存储系统。该读出电路包括第 一位线电容、第二位线电容、位线电荷消除模块、 耦合放大模块、耦合电荷消除模块、比较锁存模 块,位线电荷消除模块可以将待比较的两条位线 放电至相同的低电平或充电至相同的高电平,耦 合放大模块不仅能将其两个输入端放电至相同 的低电平,也能将输入端的信号放大,耦合电荷 消除模块可以将耦合放大模块两个