电荷消除电路模块、MRAM存储单元读出电路及存储系统
- 申请专利号:CN202210232804.9
- 公开(公告)日:2025-03-25
- 公开(公告)号:CN114639404A
- 申请人:北京大学|||华为技术有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639404 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202210232804.9 G11C 8/08 (2006.01) (22)申请日 2022.03.11 (66)本国优先权数据 202210159672.1 2022.02.22 CN (71)申请人 北京大学 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号 申请人 华为技术有限公司 (72)发明人 叶乐 薛畅 张奕涵 陈沛毓 朱明伟 武蒙 黄如 (74)专利代理机构 北京致科知识产权代理有限 公司 11672 专利代理师 魏红雅 董玲 (51)Int.Cl. G11C 5/14 (2006.01) G11C 7/12 (2006.01) 权利要求书3页 说明书11页 附图6页 (54)发明名称 电荷消除电路模块、MRAM存储单元读出电路 及存储系统 (57)摘要 本发明公开一种电荷消除电路模块、MRAM存 储单元读出电路及存储系统。该读出电路包括第 一位线电容、第二位线电容、位线电荷消除模块、 耦合放大模块、耦合电荷消除模块、比较锁存模 块,位线电荷消除模块可以将待比较的两条位线 放电至相同的低电平或充电至相同的高电平,耦 合放大模块不仅能将其两个输入端放电至相同 的低电平,也能将输入端的信号放大,耦合电荷 消除模块可以将耦合放大模块两个
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