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一种增强触觉传感器性能的纯刚性封装设计方法2024

2024-04-11 07:31:09 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202410048449.9
  • 公开(公告)日:2024-04-09
  • 公开(公告)号:CN117842928A
  • 申请人:杭州电子科技大学
摘要:本申请公开了一种增强触觉传感器性能的纯刚性封装设计方法,包括以下步骤:采用MEMS工艺,制造出玻璃基板、阵列的MEMS压阻式触觉传感器以及上层封装结构;在该封装设计中,压阻式触觉传感器封装结构被设计为三明治式结构,将压阻式触觉传感器放置在上层封装结构和玻璃基板中间;将压阻式触觉传感器上表面倒装于带通孔的玻璃基板上表面,完成对压阻式触觉传感器上表面封装;将压阻式触觉传感器下表面与设计出的上层封装结构对准键合,完成对压阻式触觉传感器下表面封装;经过上述封装设计步骤,提高了阵列的MEMS压阻式触觉传感器的灵敏度和线性度,并且实现了对阵列的MEMS压阻式触觉传感器防护。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117842928 A (43)申请公布日 2024.04.09 (21)申请号 202410048449.9 (22)申请日 2024.01.12 (71)申请人 杭州电子科技大学 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2 号大街 (72)发明人 董林玺 王珊 刘超然 高宇  颜海霞  (74)专利代理机构 杭州奥创知识产权代理有限 公司 33272 专利代理师 王佳健 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图8页 (54)发明名称 一种增强触觉传感器性能的纯刚性封装设 计方法 (57)摘要 本申请公开了一种增强触觉传感器性能的 纯刚性封装设计方法,包括以下步骤:采用MEMS 工艺,制造出玻璃基板、阵列的MEMS压阻式触觉 传感器以及上层封装结构;在该封装设计中,压 阻式触觉传感器封装结构被设计为三明治式结 构,将压阻式触觉传感器放置在上层封装结构和 玻璃基板中间;将压阻式触觉传感器上表面倒装 于带通孔的玻璃基板上表面,完成对压阻式触觉 传感器上表面封装;将压阻式触觉传感器下表面 与设计出的上层封装结构对准键合,完成对压阻 式触觉传感器下表面封装;经过上述封装设计步 A 骤,提高了阵列的MEMS压阻式触觉传感器的灵敏 8 度和线性度,并且实现了对阵列的MEMS压阻式触 2 9 2 觉传感器防护。 4 8 7 1 1

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