一种NAND电压读取方法、装置、设备及介质2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117912528 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202410097358.4 (22)申请日 2024.01.24 (71)申请人 成都芯忆联信息技术有限公司 地址 610000 四川省成都市中国（四川）自 由贸易试验区成都高新区天府四街 300号6栋A座7层703-719号 (72)发明人 刘欢　张睦　陈建雄　 (74)专利代理机构 深圳市精英专利事务所 44242 专利代理师 罗森宝 (51)Int.Cl. G11C 16/26 (2006.01) G11C 16/04 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图5页 (54)发明名称 一种NAND电压读取方法、装置、设备及介质 (57)摘要 本发明实施例公开了一种NAND电压读取方 法、装置、设备及介质。所述方法包括：根据不同 电压进行预设次数的读重试，获取偏移读数据； 将偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据；将 待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点，并根 据拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点；根 据预设条件判断目标拟合点是否有效，并从有效 的目标拟合点中确定第一电压值；重复执行上述 的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，直到第 二电压值处在预设电压范围内时读取第二电压 值作为NAND电压，其中，在执行根据不同电压进 行预设次数的读重试的步骤时为，根据第一电压 A 或第二电压进行读重试。通过实施本发