一种深紫外光刻方法、光刻图形以及半导体结构2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117908335 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202311697079.3 (22)申请日 2023.12.11 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 (72)发明人 贺晓彬　李俊峰　李亭亭　刘金彪　 高建峰　杨涛　罗军　 (74)专利代理机构 北京知迪知识产权代理有限 公司 11628 专利代理师 王胜利 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) G03F 7/40 (2006.01) G03F 7/30 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种深紫外光刻方法、光刻图形以及半导体 结构 (57)摘要 本发明公开了一种深紫外光刻方法、光刻图 形以及半导体结构，涉及深紫外光刻技术领域， 以提供一种当衬底具有较高的台阶时，采用深紫 外光刻工艺仍能正常进行曝光技术方案。包括以 下步骤：当所述深紫外光刻的景深小于所述衬底 的台阶的高度时，将待光刻图形按照所述台阶的 分布情况分为至少两个部分；其中，每个所述部 分对应于所述台阶的阶上图形或台阶下图形；将 所述待光刻图形的至少两个部分的一一对应到 至少两块掩膜版上；依次对所述至少两块掩膜版 进行曝光后，将曝光后的至少两块掩膜版同时进 A 行烘烤和显影。