一种传感器的硅硅键合真空封装工艺2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117602575 A (43)申请公布日 2024.02.27 (21)申请号 202311609406.5 (22)申请日 2023.11.29 (71)申请人 山东中科思尔科技有限公司 地址 250102 山东省济南市中国(山东) 自 由贸易试验区济南片区综合保税区港 兴三路北段未来创业广场3号楼18层 1818室 (72)发明人 谢波　王军波　商艳龙　 (74)专利代理机构 济南方维专利代理事务所 (普通合伙) 37385 专利代理师 王乾 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) G01L 1/10 (2006.01) G01L 9/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图1页 (54)发明名称 一种传感器的硅硅键合真空封装工艺 (57)摘要 本发明涉及传感器的封装技术领域，具体公 开一种传感器的硅硅键合真空封装工艺。本发明 的工艺通过在真空条件下对导气槽进行填充密 封，解决了硅硅熔融键合无法实现高真空密封的 问题。进一步地，本发明采用在所述密封孔中置 入焊锡材质的球体，然后加热使所述焊锡材质的 球体的表层熔化，并与所述Ti/Au复合层浸润结 合的方式解决了密封可靠性差的问题，提升了传 感器的耐压强度。本发明的工艺无需使用吸气 剂，解决了吸气剂高温失活和清洗活化工艺兼容 性差的问题；避免了传统采用