掩模坯及光掩模

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112578629 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 202011031340.2 (22)申请日 2020.09.27 (30)优先权数据 2019-179952 2019.09.30 JP (71)申请人 爱发科成膜株式会社 地址 日本崎玉县 (72)发明人 江成雄一　望月圣　浅见智史　 (74)专利代理机构 北京德琦知识产权代理有限 公司 11018 代理人 辛雪花　周艳玲 (51)Int.Cl. G03F 1/46 (2012.01) G03F 1/54 (2012.01) G03F 1/56 (2012.01) 权利要求书2页 说明书16页 附图9页 (54)发明名称 掩模坯及光掩模 (57)摘要 本发明涉及一种掩模坯及光掩模，所述掩模 坯具有成为光掩模的掩模层。所述掩模坯的反射 率低且具有规定的光密度，能够使遮光层的蚀刻 速率与防反射层的蚀刻速率接近，并且能够实现 降低上檐及下摆的适当的剖面形状。所述掩模层 具有：下部防反射层，层压于透明基板；遮光层， 设置在比所述下部防反射层更远离所述透明基 板的位置上；和上部防反射层，设置在比所述遮 光层更远离所述透明基板的位置上。 A 9 2 6 8 7 5 2 1 1 N C CN 112578629 A 权　利　要　求　书