一种光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114924461 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210709208.5 (22)申请日 2022.06.21 (71)申请人 广州新锐光掩模科技有限公司 地址 510555 广东省广州市(中新广州知识 城）亿创街1号406房之518 (72)发明人 施维　 (74)专利代理机构 北京清大紫荆知识产权代理 有限公司 11718 专利代理师 黎飞鸿　黄贞君 (51)Int.Cl. G03F 1/68 (2012.01) G03F 1/62 (2012.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图1页 (54)发明名称 一种光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法 (57)摘要 本发明提供一种光掩模薄膜生长调整关键 尺寸的方法，其包括如下步骤：提供第一光掩膜； 在所述光掩膜的表面生长薄膜材料，得到第二光 掩膜，其中，所述第二光掩膜的表面具有所需厚 度的薄膜；对所述第二光掩膜的横向厚度进行全 部或部分去除；保留所述第二光掩膜的部分或全 部竖向厚度，从而调整所述关键尺寸。本发明还 提供一种半导体器件的制备方法。本发明实现了 一种更大范围内调整光掩模关键尺寸的方案，能 有效减少光掩模产品报废、降低成本和提高产 能。 A 1 6 4 4 2 9 4 1 1 N C CN 114924461 A 权　利　要　求　书