一种提高微纳产品刻蚀均匀度的方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117842929 A (43)申请公布日 2024.04.09 (21)申请号 202410068747.4 (22)申请日 2024.01.17 (71)申请人 杭州邦齐州科技有限公司 地址 311421 浙江省杭州市富阳区春江街 道江南路68号第23幢910室 (72)发明人 白喜青　庞忠诚　王雍期　 (74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569 专利代理师 赵晓琳 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 一种提高微纳产品刻蚀均匀度的方法 (57)摘要 本发明涉及光学器件技术领域，提供了一种 提高微纳产品刻蚀均匀度的方法。本发明在基底 表面依次沉积刻蚀阻挡层和刻蚀层，然后采用干 法刻蚀的方法对刻蚀层进行刻蚀；刻蚀阻挡层自 下而上依次包括氧化钛层和氧化铝层。本发明在 沉积刻蚀层之前，先沉积一层刻蚀阻挡层，刻蚀 气体对刻蚀阻挡层材料不会造成有效刻蚀，在进 行干法刻蚀时，直接将暴露的刻蚀层刻穿，暴露 出刻蚀阻挡层时停止刻蚀即可，刻蚀时无需预留 刻蚀余地，只用增加刻蚀工艺时间直接刻穿即可 刻蚀到有效精度，并且能够有效控制图形的尺 寸，达到提高刻蚀均匀度的目的。同时，本发明通 A 过提高刻蚀均匀度能够间接提高微纳产品的硬 9 件条件，进而提高微纳产品的光学性能和使用寿 2 9 2 命。 4 8 7 1 1 N C CN 117842929 A