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实用新型

降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应的内匹配电路

2023-03-21 08:07:18 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202222227690.7
  • 公开（公告）日：2023-03-17
  • 公开（公告）号：CN218648790U
  • 申请人：南京国博电子股份有限公司|||南京国微电子有限公司
摘要：本申请提供一种降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应的内匹配电路，技术要点是：该电路应用于陶瓷管壳封装的内匹配功率放大器，其特征在于，包括包络阻抗控制网络，所述包络阻抗控制网络包括第一电感L1、第一电阻R1、第二电感L2以及滤波电容C1，所述第一电感L1的一端连接到所述内匹配功率放大器的输出电容上，所述第一电感L1的另一端与所述第一电阻R1的一端连接，所述第一电阻R1的另一端与所述第二电感L2的一端连接，所述第二电感L2的另一端与所述滤波电容C1的一端连接，所述滤波电容C1的另一端接地，以极大提升功放VBW的同时，降低记忆效应，改善器件的线性化性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218648790 U (45)授权公告日 2023.03.17 (21)申请号 202222227690.7 H03F 1/02 (2006.01) H03F 3/195 (2006.01) (22)申请日 2022.08.23 H03F 3/213 (2006.01) (73)专利权人 南京国博电子股份有限公司 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 地址 210000 江苏省南京市江宁经济技术 开发区正方中路166号 专利权人 南京国微电子有限公司 (72)发明人 胡蝶　陈志勇　曾瑞锋　谢凌霄　 张吕　杨蕊　朱彦青　 (74)专利代理机构 南京经纬专利商标代理有限 公司 32200 专利代理师 朱嫣菁 (51)Int.Cl. H03F 1/56 (2006.01) H03F 1/32 (2006.01) H03F 1/42 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图7页 (54)实用新型名称 降低陶瓷管壳封装功率放大器记忆效应的 内匹配电路 (57)摘要 本申请提供一

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