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发明

一种含有MXene纳米片的浸渍织物和橡胶膜的电磁屏蔽复合材料及制备方法2025

2024-03-11 07:25:26 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202311672873.2
  • 公开（公告）日：2025-09-16
  • 公开（公告）号：CN117656615A
  • 申请人：湖北大学
摘要：本发明公开了一种含有MXene纳米片的浸渍织物和橡胶膜的电磁屏蔽复合材料及制备方法，电磁屏蔽复合材料的上层为含有大小不同的MXene纳米片的浸渍织物与下层为MXene含量为30％的天然橡胶膜任意组合热压结合构成。是通过氢氟酸刻蚀的方法合成MXene溶液，随后通过超声细胞粉碎机粉碎，和超速离心得到不同尺寸MXene纳米片的溶液然后通过真空浸渍无纺织物，将不同尺寸的MXene负载到织物上。再制备MXene含量为30％的天然橡胶膜，最后将浸渍无纺织物与天然橡胶膜任意组合得本发明的电磁屏蔽复合材料。本发明具有厚度薄、质量轻、可弯折，通过改变MXene纳米片的尺寸得到的不同导电织物电磁达到不同的屏蔽性能要求。此方法原材料简单易得，稳定性好，制备工艺简单，适合大规模化生产，有广阔的应用前景。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117656615 A (43)申请公布日 2024.03.08 (21)申请号 202311672873.2 B32B 38/16 (2006.01) B32B 25/10 (2006.01) (22)申请日 2023.12.05 B32B 25/08 (2006.01) (71)申请人 湖北大学 B32B 27/40 (2006.01) 地址 430000 湖北省武汉市武昌区友谊大 B32B 27/02 (2006.01) 道368号 B32B 23/02 (2006.01) (72)发明人 张蕾　翁吉　唐俊　袁成志　 B32B 23/04 (2006.01) 杨智伟　谭淑慧　侯任重　 (74)专利代理机构 武汉河山金堂专利事务所 (普通合伙) 42212 专利代理师 丁齐旭 (51)Int.Cl. B32B 25/12 (2006.01) B32B 33/00 (2006.01)

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