一种采用失调电压自消除技术的CMOS电压基准源2026

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117891306 A (43)申请公布日 2024.04.16 (21)申请号 202410224639.1 (22)申请日 2024.02.28 (71)申请人 东南大学 地址 210000 江苏省南京市玄武区四牌楼2 号 (72)发明人 樊浩男　王屹晴　方中元　李忠良　 孙伟锋　时龙兴　 (74)专利代理机构 南京经纬专利商标代理有限 公司 32200 专利代理师 陈月菊 (51)Int.Cl. G05F 1/567 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种采用失调电压自消除技术的CMOS电压 基准源 (57)摘要 本发明公开了一种采用失调电压自消除技 术的CMOS电压基准源，包括偏置电路、运算放大 电路和零温度系数偏置电路；偏置电路采用1uA 的电流源对后续电路提供偏压，以能够在0.65V 到2.5V的电源电压下正常工作，运算放大电路通 过二级折叠共源共栅运算放大器为零温度系数 偏置锁定其输出电压，零温度系数偏置电路通过 调整MN25的偏置点实现其工作在零温度系数点， 实现电压基准源的输出。本发明的CMOS电压基准 源能够工作在宽电压范围，并且不受运算放大器 失调电压影响。 A 6 0 3 1 9 8 7 1 1 N C CN 117891306 A 权　利　要　求　书