发明

基于上交叉耦合的自控制型感应放大电路、模块2024

2024-02-04 07:26:32 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202311826688.4
  • 公开(公告)日:2024-03-12
  • 公开(公告)号:CN117476074A
  • 申请人:安徽大学
摘要:本发明涉及灵敏放大器设计技术领域,更具体的,涉及基于上交叉耦合的自控制型SRAM感应放大电路、模块。本发明包括:使能控制部、上交叉耦合部、自控制输入部、预充电路部。本发明避免了VDD到VSS间过多晶体管串联,节约了电压余度。本发明采用自控制输入部,根据Q、QB的电压变化,自适应控制目标位线的信号输入与非目标位线的信号关断,避免非目标位线对输出节点Q、QB产生影响,从而降低失调电压和放大延时。本发明采用上交叉耦合部放大电压信号,避免了反相器级联的控制方式,从而规避了现有专利的振荡风险。本发明解决了现有锁存型灵敏放大器存在失调电压干扰、以及现有专利存在振荡风险的问题。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117476074 A (43)申请公布日 2024.01.30 (21)申请号 202311826688.4 (22)申请日 2023.12.28 (71)申请人 安徽大学 地址 230601 安徽省合肥市经开区九龙路 111号 (72)发明人 卢文娟 于天祺 陆逸笑 关立军  施琦 彭春雨 蔺智挺 吴秀龙  (74)专利代理机构 合肥市泽信专利代理事务所 (普通合伙) 34144 专利代理师 江楠竹 (51)Int.Cl. G11C 11/419 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图6页 (54)发明名称 基于上交叉耦合的自控制型感应放大电路、 模块 (57)摘要 本发明涉及灵敏放大器设计技术领域,更具 体的,涉及基于上交叉耦合的自控制型SRAM感应 放大电路、模块。本发明包括:使能控制部、上交 叉耦合部、自控制输入部、预充电路部。本发明避 免了VDD到VSS间过多晶体管串联,节约了电压余 度。本发明采用自控制输入部,根据Q、QB的电压 变化,自适应控制目标位线的信号输入与非目标 位线的信号关断,避免非目标位线对输出节点Q、 QB产生影响,从而降低失调电压和放大延时。本 发明采用上交叉耦合部放大电压信号,避免了反 相器级联的控制方式,从而规避了现有专利的振 A 荡风险。本发明解决了现有锁存型灵敏放大器存 4 在失调电压干扰、以及现有专利存在振荡风险的 7 0 6 问题。 7

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