一种双振动模式的单芯片MEMS三维电场传感器

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116654862 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202310566663.9 (22)申请日 2023.05.18 (71)申请人 北京科技大学 地址 100083 北京市海淀区学院路30号 (72)发明人 闻小龙　程颢彬　李建华　张波　 (74)专利代理机构 北京市广友专利事务所有限 责任公司 11237 专利代理师 付忠林　张仲波 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) G01R 29/12 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 一种双振动模式的单芯片MEMS三维电场传 感器 (57)摘要 本发明公开了一种双振动模式的单芯片 MEMS(Micro Electro Mechanical System，微机 电系统)三维电场传感器，包括衬底和设置在衬 底上的固定感应单元、可动屏蔽单元以及压电驱 动单元；其中，固定感应单元与外部检测电路电 连接；可动屏蔽单元与压电驱动单元机械连接， 压电驱动单元与外部驱动电路电连接；在驱动电 压的控制下，可动屏蔽单元在压电驱动单元的带 动下，按照两种振动模式相对于固定感应单元振 动，从而将被测三维电场信息以感应电流的方式 输出，由外部检测电路根据固定感应单元输出的 A 感应电流，计算得到被测三维电场。本发明可以 2 实现三维电场测量，利于三维电场传感器的微型 6 8 4 化。 5 6 6 1