掩膜版的校准标记二次曝光工艺方法2025

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117234042 A (43)申请公布日 2023.12.15 (21)申请号 202311333476.2 (22)申请日 2023.10.16 (71)申请人 深圳清溢微电子有限公司 地址 518000 广东省深圳市南山区西丽街 道松坪山社区朗山二路8号清溢光电 大楼501 (72)发明人 陈勇　 (74)专利代理机构 北京科家知识产权代理事务 所(普通合伙) 11427 专利代理师 陈炳成 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) G03F 9/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图5页 (54)发明名称 掩膜版的校准标记二次曝光工艺方法 (57)摘要 本发明公开了一种掩膜版的校准标记二次 曝光工艺方法，该方法包括：在设置光刻胶层之 后，采用标准曝光剂量以及一次曝光掩模版图形 对整个掩膜基板进行整体曝光；采用预设曝光剂 量以及二次曝光掩模版图形对所述掩模基板进 行局部曝光，所述二次曝光掩模版图形仅仅包括 校准标记的区域。针对掩膜基板边缘光阻较厚， 标准剂量模式(DOSE)进行曝光无法曝光彻底。在 第一次常规曝光之后，仅针对光阻较厚的校准标 记区域，使用一个特定曝光剂量进行局部曝光。 最终使得全部的校准标记区域能够正常透光，不 会影响到NikonI8曝光机的对准作业。 A 2 4 0 4 3 2 7 1 1 N C