实用新型

一种降低DDR训练失效率的滤波电路2024

2024-04-24 07:19:42 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202322706659.6
  • 公开(公告)日:2024-04-19
  • 公开(公告)号:CN220820669U
  • 申请人:深圳市智微智能科技股份有限公司
摘要:本实用新型公开一种降低DDR训练失效率的滤波电路,包括储能电容、三阶滤波电路单元及去耦电容,所述储能电容的第一端用于与模拟信号电源电连接,所述储能电容的第二端接地;所述三阶滤波电路单元的信号输入端与所述储能电容的第一端电连接,所述三阶滤波电路单元的信号输出端与所述去耦电容的第一端电连接;所述去耦电容的第一端用于与中央处理器电连接,所述去耦电容的第二端接地。本实用新型提高了设备的稳定性,结构简单可靠,成本低。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 220820669 U (45)授权公告日 2024.04.19 (21)申请号 202322706659.6 (22)申请日 2023.10.09 (73)专利权人 深圳市智微智能科技股份有限公 司 地址 518000 广东省深圳市福田区车公庙 泰然九路海松大厦B-1303 (72)发明人 杨帆  (74)专利代理机构 深圳市科冠知识产权代理有 限公司 44355 专利代理师 蒋芳霞 (51)Int.Cl. G06F 30/36 (2020.01) H03H 7/01 (2006.01) H03K 17/22 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)实用新型名称 一种降低DDR训练失效率的滤波电路 (57)摘要 本实用新型公开一种降低DDR训练失效率的 滤波电路,包括储能电容、三阶滤波电路单元及 去耦电容,所述储能电容的第一端用于与模拟信 号电源电连接,所述储能电容的第二端接地;所 述三阶滤波电路单元的信号输入端与所述储能 电容的第一端电连接,所述三阶滤波电路单元的 信号输出端与所述去耦电容的第一端电连接;所 述去耦电容的第一端用于与中央处理器电连接, 所述去耦电容的第二端接地。本实用新型提高了 设备的稳定性,结构简单可靠,成本低。 U 9 6 6 0 2 8 0 2 2 N C CN 220820669 U

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