发明

一种嵌入式存储器的参数测试的分类筛选方法

2023-06-07 12:43:45 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202110163424.X
  • 公开(公告)日:2024-04-16
  • 公开(公告)号:CN112820340A
  • 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要:本发明提供的一种嵌入式存储器的参数测试的分类筛选方法,包括以下步骤:设定存储器的电参数的修调档位的筛选手段;执行晶圆测试,以得到实测的电参数的实测修调档位;将所述电参数的实测修调档位记录到log文档中;以及对所述log文档中的记录的电参数的实测修调档位进行分析,并绘制测试晶圆图谱。本发明通过log文档记录的每个晶圆的电参数的实测修调档位,不仅可以将修调档位异常的芯片剔除,提供了可靠性风险预警机制,还有效提高了芯片的可靠性指标。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820340 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110163424.X (22)申请日 2021.02.05 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技 园区祖冲之路1399号 (72)发明人 任栋梁  (74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务 所(普通合伙) 31237 代理人 曹廷廷 (51)Int.Cl. G11C 29/02 (2006.01) G11C 29/56 (2006.01) G11C 29/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种嵌入式存储器的参数测试的分类筛选 方法 (57)摘要 本发明提供的一种嵌入式存储器的参数测 试的分类筛选方法,包括以下步骤:设定存储器 的电参数的修调档位的筛选手段;执行晶圆测 试,以得到实测的电参数的实测修调档位;将所 述电参数的实测修调档位记录到log文档中;以 及对所述log文档中的记录的电参数的实测修调 档位进行分析,并绘制测试晶圆图谱。本发明通 过log文档记录的每个晶圆的电参数的实测修调 档位,不仅可以将修调档位异常的芯片剔除,提 供了可靠性风险预警机制,还有效提高了芯片的 可靠性指标。 A 0 4 3 0 2 8 2 1 1 N C CN 112820340 A

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