发明

一种绝热模式耦合器2024

2023-09-24 08:30:32 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202310817079.6
  • 公开(公告)日:2024-10-01
  • 公开(公告)号:CN116794768A
  • 申请人:南通大学
摘要:本发明属于集成光电子技术领域,具体涉及一种绝热模式耦合器。本发明包括硅芯和包层,硅芯包括平板硅、第一硅脊以及第二硅基;平板硅上端分别设置第一硅脊与第二硅基;包层从下往上依次为起支撑作用的硅衬底、二氧化硅下包层、上包层;硅衬底连接二氧化硅下包层;二氧化硅下包层连接平板硅;平板硅、第一硅脊以及第二硅基均连接上包层。本发明解决目前绝热模式耦合器“尺寸大、集成度低”的问题,本发明旨在提出一种尺寸小、损耗低、传输效率高、结构简单、易加工的绝热模式耦合器。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116794768 A (43)申请公布日 2023.09.22 (21)申请号 202310817079.6 (22)申请日 2023.07.05 (71)申请人 南通大学 地址 226000 江苏省南通市崇川区永福路 79号1幢南通大学技术转移研究院 (72)发明人 荣巍巍 梁图禄 廖上桂 李明娜  (74)专利代理机构 南京经纬专利商标代理有限 公司 32200 专利代理师 朱小兵 (51)Int.Cl. G02B 6/122 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种绝热模式耦合器 (57)摘要 本发明属于集成光电子技术领域,具体涉及 一种绝热模式耦合器。本发明包括硅芯和包层, 硅芯包括平板硅、第一硅脊以及第二硅基 ;平板 硅上端分别设置第一硅脊与第二硅基;包层从下 往上依次为起支撑作用的硅衬底、二氧化硅下包 层、上包层;硅衬底连接二氧化硅下包层;二氧化 硅下包层连接平板硅 ;平板硅、第一硅脊以及第 二硅基均连接上包层。本发明解决目前绝热模式 耦合器“尺寸大、集成度低”的问题,本发明旨在 提出一种尺寸小、损耗低、传输效率高、结构简 单、易加工的绝热模式耦合器。 A 8 6 7 4 9 7 6 1 1 N C CN 116794768 A 权 利 要 求 书

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