发明

存储阵列及其互联结构、操作方法2024

2024-03-11 07:17:15 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202211011155.6
  • 公开(公告)日:2024-03-08
  • 公开(公告)号:CN117672284A
  • 申请人:浙江驰拓科技有限公司
摘要:本发明提供一种存储阵列及其互联结构、操作方法。存储阵列包括:多条位线,一行设置两条位线,包括第一位线和第二位线;多条源线,一行设置两条源线,包括第一源线和第二源线;位于每列和每行上的存储单元和晶体管,每个晶体管具有第一源/漏极和第二源/漏极;对于存储阵列的任意一行,有如下连接关系:奇数列存储单元一端与第一位线连接,另一端与第二源线连接;奇数列晶体管的第一源/漏极与第一源线连接;奇数列晶体管的第二源/漏极与第二源线连接;偶数列存储单元一端与第二位线连接,另一端与第一源线连接;偶数列晶体管的第一源/漏极与第二源线连接;偶数列晶体管的第二源/漏极与第一源线连接。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117672284 A (43)申请公布日 2024.03.08 (21)申请号 202211011155.6 (22)申请日 2022.08.22 (71)申请人 浙江驰拓科技有限公司 地址 311300 浙江省杭州市临安区青山湖 街道崇文路1718号 (72)发明人 李琨琨 何世坤  (74)专利代理机构 北京兰亭信通知识产权代理 有限公司 11667 专利代理师 孙峰芳 (51)Int.Cl. G11C 11/16 (2006.01) G11C 11/56 (2006.01) H10B 61/00 (2023.01) H10B 63/00 (2023.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图12页 (54)发明名称 存储阵列及其互联结构、操作方法 (57)摘要 本发明提供一种存储阵列及其互联结构、操 作方法。存储阵列包括:多条位线,一行设置两条 位线,包括第一位线和第二位线;多条源线,一行 设置两条源线,包括第一源线和第二源线;位于 每列和每行上的存储单元和晶体管,每个晶体管 具有第一源/漏极和第二源/漏极;对于存储阵列 的任意一行,有如下连接关系:奇数列存储单元 一端与第一位线连接,另一端与第二源线连接; 奇数列晶体管的第一源/漏极与第一源线连接; 奇数列晶体管的第二源/漏极与第二源线连接; 偶数列存储单元一端与第二位线连接,另一端与 第一源线连接;偶数列晶体管的第一源/漏极与

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