嵌段共聚物定向自组装刻蚀方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113753849 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 202010495119.6 (22)申请日 2020.06.03 (71)申请人 芯恩（青岛）集成电路有限公司 地址 266000 山东省青岛市黄岛区太白山 路19号德国企业南区401 (72)发明人 王凡　秦俊峰　赵珂　李天慧　 (74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通 合伙) 31219 代理人 余明伟 (51)Int.Cl. B82B 3/00(2006.01) B82Y 40/00(2011.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 嵌段共聚物定向自组装刻蚀方法 (57)摘要 本发明提供一种嵌段共聚物定向自组装刻 蚀方法，通过在半导体基底上形成阻挡层及过渡 层后，采用纳米压印法，无需制备抗反射层和硬 掩膜层，即可在过渡层中形成具有较小特征尺寸 的沟槽，进而通过沟槽可形成具有较小特征尺寸 的间隔结构，且在去除过渡层后，可形成包覆间 隔结构侧壁及覆盖阻挡层的中性层，以及在去除 间隔结构后，可于中性层中形成填充沟槽的诱导 结构，以基于诱导结构及中性层，进行嵌段共聚 物层的定向自组装；本发明的嵌段共聚物定向自 组装刻蚀方法，制备工艺简单，可缩小器件的特 征尺寸，提高器件空间利用率及产品质量。 A