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用于加工层结构的方法和微机电器件2023

2023-09-04 07:16:05 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN201811027074.9
  • 公开(公告)日:2023-09-01
  • 公开(公告)号:CN109422240A
  • 申请人:英飞凌科技股份有限公司
摘要:本申请提供了一种用于加工层结构的方法,其中层结构具有第一层、设置在第一层上方的牺牲层和设置在牺牲层上方的第二层,其中第二层具有至少一个开口,其中该至少一个开口从第二层的第一侧延伸到牺牲层,其中该方法包括:形成衬垫层,其覆盖至少一个开口的至少一个内壁;在衬垫层上方形成覆盖层,其中覆盖层至少部分地延伸到至少一个开口中;并且用蚀刻液对覆盖层、衬垫层和牺牲层进行湿化学蚀刻,其中蚀刻液对衬垫层的蚀刻速率大于对覆盖层的蚀刻速率。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109422240 A (43)申请公布日 2019.03.05 (21)申请号 201811027074.9 (22)申请日 2018.09.04 (30)优先权数据 102017120290.0 2017.09.04 DE (71)申请人 英飞凌科技股份有限公司 地址 德国诺伊比贝尔格 (72)发明人 A 布罗克迈尔 W 弗里萨  · · D 莫勒  · (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 郑立柱 张鹏 (51)Int.Cl. B81C 1/00(2006.01) B81B 7/02(2006.01) 权利要求书3页 说明书16页 附图9页 (54)发明名称 用于加工层结构的方法和微机电器件 (57)摘要 本申请提供了一种用于加工层结构的方法, 其中层结构具有第一层、设置在第一层上方的牺 牲层和设置在牺牲层上方的第二层,其中第二层 具有至少一个开口,其中该至少一个开口从第二 层的第一侧延伸到牺牲层,其中该方法包括:形 成衬垫层,其覆盖至少一个开口的至少一个内 壁;在衬垫层上方形成覆盖层,其中覆盖层至少 部分地延伸到至少一个开口中;并且用蚀刻液对 覆盖层、衬垫层和牺牲层进行湿化学蚀刻,其中

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