分级结构NiOx/CoP自支撑电极的制备方法及应用
- 申请专利号:CN202310004961.9
- 公开(公告)日:2025-07-22
- 公开(公告)号:CN116043265A
- 申请人:辽宁工程技术大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116043265 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202310004961.9 C25D 5/48 (2006.01) C25D 5/18 (2006.01) (22)申请日 2023.01.03 C25D 5/12 (2006.01) (71)申请人 辽宁工程技术大学 地址 123000 辽宁省阜新市细河区中华路 47号 (72)发明人 宰世锋 吴雨涵 郭春彬 (74)专利代理机构 北京京华知联专利代理事务 所(普通合伙) 11991 专利代理师 耿浩 (51)Int.Cl. C25B 11/091 (2021.01) C25B 1/04 (2021.01) C25B 11/031 (2021.01) C25B 11/061 (2021.01) C25D 5/40 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图11页 (54)发明名称 分级结构NiO /CoP自支撑电极的制备方法 x 及应用 (57)摘要 本发明涉及一种分级结构NiO /CoP自支撑
最新专利
- 锰电沉积的非线性电流电解方法及应用公开日期:2025-09-19公开号:CN117822050A申请号:CN202311870556.1锰电沉积的非线性电流电解方法及应用
- 发布时间:2024-04-07 07:30:560
- 申请号:CN202311870556.1
- 公开号:CN117822050A
- 一种稀土Ce掺杂Ni5P4多孔纳米片阵列及其制备方法和应用公开日期:2025-09-19公开号:CN117127205A申请号:CN202310425972.4一种稀土Ce掺杂Ni5P4多孔纳米片阵列及其制备方法和应用
- 发布时间:2023-12-02 07:14:100
- 申请号:CN202310425972.4
- 公开号:CN117127205A
- 一种双密封垫电解单元和高压电解槽公开日期:2025-09-19公开号:CN117026266A申请号:CN202311174768.6一种双密封垫电解单元和高压电解槽
- 发布时间:2023-11-16 07:31:110
- 申请号:CN202311174768.6
- 公开号:CN117026266A
- 一种阻氢型涂层及防腐阻氢型的复合涂层的常温制备方法公开日期:2025-09-19公开号:CN117026328A申请号:CN202311031904.6一种阻氢型涂层及防腐阻氢型的复合涂层的常温制备方法
- 发布时间:2023-11-16 07:24:540
- 申请号:CN202311031904.6
- 公开号:CN117026328A
- 一种基于赝电容的ZnFe-PANI复合碳材料电极及其应用公开日期:2025-09-19公开号:CN116730446A申请号:CN202310946036.8一种基于赝电容的ZnFe-PANI复合碳材料电极及其应用
- 发布时间:2023-09-14 07:23:490
- 申请号:CN202310946036.8
- 公开号:CN116730446A
- 具有催化活性的Co3O4@Fe-B-O异质催化剂及其制备和应用公开日期:2025-09-19公开号:CN116479436A申请号:CN202310278411.6具有催化活性的Co3O4@Fe-B-O异质催化剂及其制备和应用
- 发布时间:2023-07-28 07:15:390
- 申请号:CN202310278411.6
- 公开号:CN116479436A