一种稀土Ce掺杂Ni5P4多孔纳米片阵列及其制备方法和应用2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117127205 A (43)申请公布日 2023.11.28 (21)申请号 202310425972.4 B82Y 40/00 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01) (22)申请日 2023.04.20 (71)申请人 江西师范大学 地址 330000 江西省南昌市高新技术开发 区紫阳大道99号 (72)发明人 杨勇　梁艳　尧慎曼　龚吴非　 刘渊　俞挺　郭满满　袁彩雷　 (74)专利代理机构 南昌大牛知识产权代理事务 所(普通合伙) 36135 专利代理师 魏威 (51)Int.Cl. C25B 11/091 (2021.01) C25B 11/061 (2021.01) C25B 11/031 (2021.01) C25B 1/04 (2021.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种稀土Ce掺杂Ni P 多孔纳米片阵列及其 5 4 制备方法和应用 (57)摘要 本发明属于纳米结构的制备领域，公开了一 种稀土Ce掺杂Ni P 多孔纳米片阵列及其制备方 5 4 法和应用。本发明提供了一种杂