半导体存储装置

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447203 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 202010106717.X (22)申请日 2020.02.21 (30)优先权数据 2019-161925 2019.09.05 JP (71)申请人 铠侠股份有限公司 地址 日本东京 (72)发明人 塚本隆之　 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 代理人 张世俊 (51)Int.Cl. G11C 5/06(2006.01) G11C 5/14(2006.01) G11C 7/10(2006.01) 权利要求书2页 说明书13页 附图18页 (54)发明名称 半导体存储装置 (57)摘要 实施方式提供一种实现长寿命化的半导体 存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：多 条第1配线；多条第2配线，与多条第1配线交叉； 及多个存储单元，设置在多条第1配线及多条第2 配线之间，且具备电阻变化层、及含有硫属元素 的非线性元件层。在置位动作中，向多条第1配线 中的一条、及多条第2配线中的一条之间供给置 位脉冲。在复位动作中，向多条第1配线中的一 条、及多条第2配线中的一条之间供给复位脉冲。 在第1动作中，向多条第1配线中的一条、及多条 第2配线中的一条之间供给第1脉冲。第1脉冲具 备比置位脉冲的振幅及复位脉