PCT发明

半导体装置

2023-06-23 08:01:41 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202080011324.9
  • 公开(公告)日:2025-06-10
  • 公开(公告)号:CN113396541A
  • 申请人:富士电机株式会社
摘要:本发明的半导体装置包括:第一MOS晶体管和第二MOS晶体管,该第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的漏极电极串联连接在施加有电源电压的第一线路和连接有负载的第二线路之间;第三线路,该第三线路连接到所述第一MOS晶体管的栅极电极;和第四线路,该第四线路连接到所述第二MOS晶体管的栅极电极并与所述第三线路电分离地设置。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113396541 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202080011324.9 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公 司 31100 (22)申请日 2020.06.26 代理人 胡秋瑾 宋俊寅 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2019-144555 2019.08.06 JP H03K 17/687 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 H03K 17/04 (2006.01) 2021.07.28 H02M 1/08 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 H01M 10/42 (2006.01) PCT/JP2020/025212 2020.06.26 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/024643 JA 2021.02.11 (71)申请