具有与屏蔽件解耦的磁性籽层的双自由层读取器头

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114664330 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202011535194.7 (22)申请日 2020.12.23 (71)申请人 西部数据技术公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 X.刘　J.李　G.M.B.德阿尔伯克基　 D.毛里　Y.奥卡达　 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 专利代理师 邱军 (51)Int.Cl. G11B 5/11 (2006.01) G11B 5/31 (2006.01) G11B 5/39 (2006.01) 权利要求书3页 说明书9页 附图8页 (54)发明名称 具有与屏蔽件解耦的磁性籽层的双自由层 读取器头 (57)摘要 本公开总体上涉及包括双自由层(DFL)结构 的磁性读取头。磁性读取头包括第一屏蔽件、第 二屏蔽件，以及设置在第一屏蔽件与第二屏蔽件 之间的DFL结构。DFL结构包括磁性籽层、第一自 由层和第二自由层。非磁性间隔体层在面向介质 表面处设置在第一屏蔽件与DFL结构的磁性籽层 之间且与第一屏蔽件和DFL结构的磁性籽层接 触。选择非磁性间隔体层的材料和厚度以控制第 一屏蔽件与DFL结构的磁性籽层之间的耦合。 A 0 3 3 4 6 6 4 1 1 N C CN 114664330 A 权　利　要　求　书