半导体结构、封装结构及形成半导体结构的方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530892 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202010139145.5 (22)申请日 2020.03.03 (30)优先权数据 16/572,611 2019.09.17 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力 行六路八号（邮递区号30078） (72)发明人 张容华　卢思维　施应庆　 (74)专利代理机构 北京派特恩知识产权代理有 限公司 11270 代理人 薛恒　王琳 (51)Int.Cl. H01L 23/488(2006.01) H01L 21/48(2006.01) H01L 23/367(2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图12页 (54)发明名称 半导体结构、封装结构及形成半导体结构的 方法 (57)摘要 一种包括集成电路管芯及多个导电凸块的 半导体结构。集成电路管芯包括多个凸块接垫。 多个导电凸块设置在多个凸块接垫上。多个导电 凸块中的每一者包括设置在多个凸块接垫中的 一者上的第一柱部分及设置在第一柱部分上的 第二柱部分。第二柱部分经由第一柱部分电连接 到多个凸块接垫中的一者，其中第一柱部分的第 一宽度大于第二柱部分的第二宽度。也提供一种 包括