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发明

一种低介电微孔薄膜及其制造方法

2023-06-11 11:39:53 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202211725214.6
  • 公开（公告）日：2025-04-08
  • 公开（公告）号：CN116215038A
  • 申请人：上海普利特化工新材料有限公司|||上海普利特复合材料股份有限公司|||浙江普利特新材料有限公司|||重庆普利特新材料有限公司
摘要：本发明公开了一种低介电微孔薄膜及其制造方法，其包括以下步骤：1、将热塑性液晶聚合物通过挤出机熔融塑化，挤出成膜；2、将前一步得到的液晶聚合物薄膜与支撑体压合得到复合体；3、将前一步复合得到的液晶聚合物薄膜复合体加热到一定温度范围内，并保持一定时间；4、将经过热处理的液晶聚合物薄膜复合体中的支撑体分离，得到处理完成的液晶聚合物低介电微孔薄膜成品。使用本发明制备工艺得到的低介电微孔薄膜具有均匀分布的微孔，高频下介电损耗因子小。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116215038 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202211725214.6 B32B 15/088 (2006.01) B32B 27/06 (2006.01) (22)申请日 2022.12.30 B32B 33/00 (2006.01) (71)申请人 上海普利特化工新材料有限公司 B29D 7/01 (2006.01) 地址 201502 上海市金山区夏盛路230号 申请人 上海普利特复合材料股份有限公司　 浙江普利特新材料有限公司　 重庆普利特新材料有限公司 (72)发明人 许斌　魏伟　周臻纶　李宏　周文　 (74)专利代理机构 上海伯瑞杰知识产权代理有 限公司 31227 专利代理师 胡永宏 (51)Int.Cl. B32B 27/36 (2006.01) B32B 27/34 (2006.01) B32B 15/09 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图1页 (54)发明名称 一种低介电微孔薄膜及其制造方法 (57)摘要 本发明公开了一种低介电微孔薄

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