发明

一种利用光引发剂实现超分辨刻写与成像的方法和装置

2023-06-25 07:16:24 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310020668.1
  • 公开(公告)日:2024-04-16
  • 公开(公告)号:CN116300310A
  • 申请人:之江实验室|||浙江大学
摘要:一种利用光引发剂实现超分辨激光直写与成像的方法,通过在光刻胶单体中加入的光引发剂7‑二乙基氨‑3‑(2‑噻吩基)香豆素(DETC),利用边缘光抑制效应(PPI),可以实现高精度激光直写;同时,利用其本身的荧光发光特性,及其存在的本征受激辐射效应,还可以实现超分辨受激辐射损耗显微成像(STED)。本发明利用DETC这些特性,在同一个装置中同时构建激光直写系统和显微成像系统,同时实现高精度刻写与超分辨成像。相比于掺杂荧光染料的方式,简化了光刻胶的成分,在一个系统中同时实现高精度刻写与超分辨成像,将刻写系统中的抑制光光路复用于成像系统中的损耗光路,有效简化了系统。本发明还包括一种利用光引发剂实现超分辨激光直写与成像的装置。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116300310 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310020668.1 (22)申请日 2023.01.06 (71)申请人 之江实验室 地址 311121 浙江省杭州市余杭区之江实 验室南湖总部 申请人 浙江大学 (72)发明人 刘秋兰 孙琦 樊吴申 张良  王宵冰 匡翠方 刘旭  (74)专利代理机构 杭州天正专利事务所有限公 司 33201 专利代理师 王兵 杨东炜 (51)Int.Cl. G03F 7/004 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01) G02B 21/00 (2006.01) 权利要求书3页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种利用光引发剂实现超分辨刻写与成像 的方法和装置 (57)摘要 一种利用光引发剂实现超分辨激光直写与 成像的方法,通过在光刻胶单体中加入的光引发 剂7‑二乙基氨‑3‑(2‑噻吩基)香豆素 (DETC),利 用边缘光抑制效应 (PPI),可以实现高精度激光 直写;同时,利用其本身的荧光发光特性,及其存 在的本征受激辐射效应,还可以实现超分辨受激 辐射损耗显微成像(STED)。本发明利用DETC这些 特性,在同一个装置中同时构建激光直写系统和 显微成像系统,同时实现高精度刻写与超分辨成 像。相比于掺杂荧光染料的方式,简化了光刻胶 的成

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