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发明

一种机电耦合器件单元及其制备与应用2024

2024-04-21 07:46:14 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202311821242.2
  • 公开（公告）日：2024-04-19
  • 公开（公告）号：CN117902544A
  • 申请人：武汉理工大学
摘要：本发明公开一种机电耦合器件单元及其制备与应用，包括衬底、电极组、单晶Ag2Se功能层，电极组包括与单晶Ag2Se功能层两端部分别电连接的第一电极及第二电极；单晶Ag2Se功能层的（100）晶面平行于第一电极及第二电极产生的电流方向，单晶Ag2Se功能层的（001）晶面垂直于衬底且方向竖直朝上；基于单晶Ag2Se经过取向筛选作为功能层，惰性金属单质作为电极层，以使机电耦合器件能实现多阶段大应变的功能，能够在竖直方向上的调控运动状态，具有较好的精度和稳定性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117902544 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202311821242.2 (22)申请日 2023.12.27 (71)申请人 武汉理工大学 地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路 122号 (72)发明人 吴劲松　罗豪　杨东旺　梁麒　 (74)专利代理机构 武汉智嘉联合知识产权代理 事务所(普通合伙) 42231 专利代理师 吴璟 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) B22F 1/12 (2022.01) B22F 3/02 (2006.01) B22F 3/105 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 一种机电耦合器件单元及其制备与应用 (57)摘要 本发明公开一种机电耦合器件单元及其制 备与应用，包括衬底、电极组、单晶Ag Se功能层， 2 电极组包括与单晶Ag Se功能层两端部分别电连 2 接的第一电极及第二电极；单晶Ag Se功能层的 2 （100）晶面平行于第一电极及第二电极产生的电 流方向，单晶Ag Se功能层的（0

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