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发明

三维多孔泡沫铜的制备方法、封装焊片及半导体封装方法2025

2023-12-17 07:35:26 发布于四川 290
  • 申请专利号：CN202311137506.2
  • 公开（公告）日：2025-12-26
  • 公开（公告）号：CN117206530A
  • 申请人：哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院）
摘要：本发明提供了一种三维多孔泡沫铜的制备方法、封装焊片及半导体封装方法，所述三维多孔泡沫铜的制备方法包括如下步骤：步骤S1，制备泡沫铜；步骤S2，将将泡沫铜在含氧的气氛中加热，使其孔壁表面生成氧化层，得到氧化后的泡沫铜；步骤S3，压缩氧化后的泡沫铜，成致密片状泡沫铜；步骤S4，去除氧化层，留下孔道，得到三维多孔结构的泡沫铜。采用本发明的技术方案得到的泡沫铜的孔壁表面具有若干孔道，杨氏模量低，可解决焊层界面处热膨胀系数失配问题，极大的提高器件在服役过程中经受热循环时的可靠性；降低焊层的杨氏模量，缓解焊层脆硬性，减轻热疲劳，同时能够抵御器件工作时频繁的热冲击，提供可靠的连接强度以抵御物理冲击。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117206530 A (43)申请公布日 2023.12.12 (21)申请号 202311137506.2 C25D 1/00 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) (22)申请日 2023.09.05 B82Y 40/00 (2011.01) (71)申请人 哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工 B22F 3/10 (2006.01) 业大学深圳科技创新研究院） B22F 1/054 (2022.01) 地址 518000 广东省深圳市南山区桃源街 B22F 1/107 (2022.01) 道深圳大学城哈尔滨工业大学校区 B22F 1/052 (2022.01) (72)发明人 陈宏涛　王锦涛　王建强　王奉祎　 H01L 21/60 (2006.01) (74)专利代理机构 深圳市添源创鑫知识产权代 理有限公司 44855 专利代理师 覃迎峰 (51)Int.Cl. B22

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