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MEMS传感器以及提供和运行MEMS传感器的方法2023

2023-09-04 07:16:00 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN201810865573.9
  • 公开(公告)日:2023-09-01
  • 公开(公告)号:CN109319727A
  • 申请人:英飞凌科技股份有限公司
摘要:MEMS传感器包括具有可移动电极和定子电极的MEMS装置,定子电极与可移动电极相对地布置。MEMS传感器包括连接到定子电极的第一偏置电压源,第一偏置电压源被配置为将第一偏置电压施加到定子电极。MEMS传感器还包括通过电容耦合连接到定子电极的共模读出电路,共模读出电路包括第二偏置电压源,第二偏置电压源被选择为将第二偏置电压施加到电容耦合的背离定子电极的一侧。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109319727 A (43)申请公布日 2019.02.12 (21)申请号 201810865573.9 (22)申请日 2018.08.01 (30)优先权数据 102017213277.9 2017.08.01 DE (71)申请人 英飞凌科技股份有限公司 地址 德国诺伊比贝尔格 (72)发明人 A 德厄 M 菲尔德纳  · · A 韦斯鲍尔  · (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 郑立柱 张鹏 (51)Int.Cl. B81B 7/02(2006.01) H04R 19/04(2006.01) G01L 9/12(2006.01) 权利要求书3页 说明书13页 附图10页 (54)发明名称 MEMS传感器以及提供和运行MEMS传感器的 方法 (57)摘要 MEMS传感器包括具有可移动电极和定子电 极的MEMS装置,定子电极与可移动电极相对地布 置。MEMS传感器包括连接到定子电极的第一偏置 电压源,第一偏置电压源被配置为将第一偏置电 压施加到定子电极。MEMS传感器还包括通过电容 耦合连接到定子电极的共模读出电路,共模读出 电路包括第二偏置电压源,第二偏

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