一种MEMS器件及其制造方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114506811 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202111580981.8 (22)申请日 2021.12.22 (71)申请人 杭州士兰集成电路有限公司 地址 310018 浙江省杭州市杭州经济技术 开发区10号大街（东）308号 申请人 杭州士兰集昕微电子有限公司 (72)发明人 徐日　季锋　刘琛　闻永祥　贺锦　 (74)专利代理机构 北京成创同维知识产权代理 有限公司 11449 专利代理师 甄丹凤 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书3页 说明书9页 附图6页 (54)发明名称 一种MEMS器件及其制造方法 (57)摘要 公开了一种MEMS器件及其制造方法，所述方 法包括：在半导体衬底的第一区域形成第一掺杂 区；在所述半导体衬底的第一区域形成多孔层， 所述多孔层位于所述第一掺杂区下方；对所述多 孔层进行氧化形成第一氧化层以及包裹所述第 一氧化层的第二氧化层；在所述第一掺杂区和所 述半导体衬底的第一表面上形成外延层；在所述 外延层上形成钝化层；在所述半导体衬底的第二 表面形成到达所述第二氧化层的通道；以及经由 所述通道去除所述第一氧化层以及所述第二氧 化层，以在所述半导体衬底中形成空腔。本发明 采用采用多孔层氧化形成的第一氧化层以及包 A 裹第一氧化层的第二氧化层作为刻蚀停止层，用