一种硅背刻蚀FBAR谐振器及其制备方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114070244 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111386561.6 (22)申请日 2021.11.22 (71)申请人 河源市艾佛光通科技有限公司 地址 517000 广东省河源市高新技术开发 区高新五路、泥金路西边办公区二楼 (72)发明人 李国强　 (74)专利代理机构 广州容大知识产权代理事务 所(普通合伙) 44326 代理人 刘新年 (51)Int.Cl. H03H 9/02 (2006.01) H03H 3/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图8页 (54)发明名称 一种硅背刻蚀FBAR谐振器及其制备方法 (57)摘要 本发明提供一种硅背刻蚀FBAR谐振器及其 制备方法，该谐振器按照从下向上的顺序依次包 括硅衬底、支撑层和压电层；所述支撑层下方形 成有空腔，并且所述支撑层部分暴露在所述空腔 中，所述空腔的侧壁由所述硅衬底形成；所述支 撑层和所述压电层之间设有下电极层，所述压电 层上方设有上电极层；所述谐振器还包括上负载 层和下负载层；所述上负载层和所述下负载层分 别沿所述上电极层和所述下电极层边沿包围设 置，且所述下负载层穿透所述支撑层延伸至所述 空腔内；所述上负载层和所述下负载层呈上下对 称分布。本发明通过采用对称型负载层设计可以 A 减少压电层中横向模式的声波能耗，有效降低 4 FBAR谐振器在谐振峰位置的寄生波形，有利