发明

一种多阶横模抑制的声表面波换能器及制造方法

2023-06-16 07:20:46 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202110498780.7
  • 公开(公告)日:2025-04-22
  • 公开(公告)号:CN113193849A
  • 申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司
摘要:本发明公开了一种多阶横模抑制的声表面波换能器及制造方法,声表面波换能器包括从下到上依次设置的晶圆基底、叉指金属层和温补层;还包括负载层,负载层采用如下结构之一或组合;结构一:负载层设置于温补层上或温补层中,负载层不与叉指金属层接触,负载层覆盖叉指金属层中的全部或部分指条端头;结构二:负载层在晶圆基底内,负载层位于叉指金属层的指条端头位置对应处,负载层为导电材料;结构三:负载层位于叉指金属层和温补层之间,负载层覆盖叉指金属层中的全部或部分指条端头,负载层采用非金属材料制成。对指条端头区域进行处理阻断横向模,提高电性能指标和品质Q值;结构一负载层通过温补层与叉指金属层隔离,不与叉指金属层相连短路。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113193849 A (43)申请公布日 2021.07.30 (21)申请号 202110498780.7 (22)申请日 2021.05.08 (71)申请人 江苏卓胜微电子股份有限公司 地址 214072 江苏省无锡市滨湖区建筑西 路777号A3幢11层 (72)发明人 姚远  (74)专利代理机构 重庆双马智翔专利代理事务 所(普通合伙) 50241 代理人 顾晓玲 陈香兰 (51)Int.Cl. H03H 9/64 (2006.01) H03H 3/02 (2006.01) 权利要求书3页 说明书10页 附图7页 (54)发明名称 一种多阶横模抑制的声表面波换能器及制 造方法 (57)摘要 本发明公开了一种多阶横模抑制的声表面 波换能器及制造方法,声表面波换能器包括从下 到上依次设置的晶圆基底、叉指金属层和温补 层;还包括负载层,负载层采用如下结构之一或 组合;结构一:负载层设置于温补层上或温补层 中,负载层不与叉指金属层接触,负载层覆盖叉 指金属层中的全部或部分指条端头;结构二:负 载层在晶圆基底内,负载层位于叉指金属层的指 条端头位置对应处,负载层为导电材料;结构三: 负载层位于叉指金属层和温补层之间,负载层覆 盖叉指金属层中的全部或部分指条端头,负载层 A 采用非金属材料制成。对指条端头区域进行处理 9 阻断横向模,提高电性能指标和品质Q值;结构一 4 8 3 负载层通过温补层

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