一种半导体靶材加工用复合清洗剂及其制备方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117604533 A (43)申请公布日 2024.02.27 (21)申请号 202311600337.1 (22)申请日 2023.11.28 (71)申请人 俄美达（武汉）有限公司 地址 430000 湖北省武汉市江夏区庙山经 济开发区汤逊湖工业园 (72)发明人 章庆华　吴明洋　 (74)专利代理机构 武汉世跃专利代理事务所 (普通合伙) 42273 专利代理师 万仲达 (51)Int.Cl. C23G 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 (54)发明名称 一种半导体靶材加工用复合清洗剂及其制 备方法 (57)摘要 本发明涉及一种半导体靶材加工用复合清 洗剂及其制备方法，属于溅射镀膜技术领域。该 复合清洗剂按照重量百分比计包括：改性去污剂 8.2‑13.5wt％、复合表面活性剂30‑45wt％、聚醚 消泡剂0.9‑1.2wt％和异丙醇25‑35wt％，余量为 高纯水；在清洗过程中，改性去污剂分子中的氮 氧结构可与附着在靶材表面的金属基杂质螯合， 其分子中部的多支酯结构可与残留的脂化物具 有良好的相容性，端部的多支聚醚亲水链形成表 面亲水包覆改性，提高杂质的浸润性，易于被清 洗脱除，在实际测试中表面出优异的清洗效率及 A 清洁程度。 3 3 5 4 0 6 7 1 1 N C CN 117604533 A 权　利　要　求　书