一种磁场与机械振动结合的硅纳米结构制备方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114314504 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111632799.2 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人 杭州电子科技大学 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2 号大街 (72)发明人 巢炎　李彬　黄伟业　 (74)专利代理机构 浙江千克知识产权代理有限 公司 33246 代理人 周雷雷 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 一种磁场与机械振动结合的硅纳米结构制 备方法 (57)摘要 本发明公开了一种磁场与机械振动结合的 硅纳米结构制备方法，通过振动硅片，使预先沉 积在硅片上的导磁性膜析出导磁性金属粒子，通 过向三个漆包线绕线组产生三个磁场，使导磁性 金属粒子沿磁场的磁力线排布，并在持续振动作 用下沿硅片表面磁力线指向与硅片表面发生撞 击，使团聚在导磁性金属粒子周围的腐蚀液中的 酸随导磁性金属粒子撞击硅片表面，与硅片反 应；在振动与磁场结合作用下，导磁性金属粒子 不断重复与硅片表面撞击，并不断回到磁力线位 置进行排布，逐渐完成硅片表面的微纳米结构制 A 备。本发明通过改变三个漆包线绕线组通入电流 4 的频率、相位和幅值，能获得不同磁场分布，使导 0 5 4 磁性金属粒子能带动腐蚀液中的酸在硅片上刻 1