碳化硅晶片的激光雕刻方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114682921 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202111216955.7 (22)申请日 2021.10.19 (30)优先权数据 109146780 2020.12.30 TW (71)申请人 环球晶圆股份有限公司 地址 中国台湾 (72)发明人 刘建亿　罗唯淳　陈俊合　 (74)专利代理机构 北京康信知识产权代理有限 责任公司 11240 专利代理师 杜兆东 (51)Int.Cl. B23K 26/362 (2014.01) B23K 26/402 (2014.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 碳化硅晶片的激光雕刻方法 (57)摘要 本发明公开一种碳化硅晶片的激光雕刻方 法。所述方法包括前置步骤、设置步骤、及雕刻步 骤。所述前置步骤：提供激光发射器、载台、及碳 化硅晶片；所述碳化硅晶片呈透明状且具有位于 相反两侧的第一表面与第二表面。所述设置步 骤：将所述第二表面置放于所述载台的呈非透光 状承载加工面上，以使所述激光发射器面向所述 第一表面。所述雕刻步骤：以所述激光发射器朝 向所述第二表面的预定点发射至少一道激光束， 并且至少一道所述激光束穿过所述碳化硅晶片 而在所述预定点及其邻接的所述承载加工面的 牺牲区域各凹设形成有激光刻槽。据此，通过呈 A 非透明状的所述承载加工面，而易于预定点形成 1 符合预定形状的所述激光刻槽，并降低产生缺陷 2