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PCT发明

集成iii-V/硅光电子器件及其制造方法

2022-10-24 10:23:55 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202080095229.1
  • 公开（公告）日：2025-10-21
  • 公开（公告）号：CN115004085A
  • 申请人：洛克利光子有限公司
摘要：一种光电子器件。所述光电子器件包括：绝缘体上硅平台，所述绝缘体上硅平台包括：位于所述平台的硅器件层内的硅波导；衬底；以及位于所述衬底与所述硅器件层之间的绝缘体层；以及基于III‑V半导体的器件，所述基于III‑V半导体的器件位于所述绝缘体上硅平台的腔体内并且包括耦合到所述硅波导的基于III‑V半导体的波导；其中所述基于III‑V半导体的器件包括加热器和连接到所述加热器的一个或多个电迹线，其中所述一个或多个电迹线从所述基于III‑V半导体的器件延伸到所述绝缘体上硅平台上的相应接触垫。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115004085 A (43)申请公布日 2022.09.02 (21)申请号 202080095229.1 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公 司 72001 (22)申请日 2020.11.24 专利代理师 张昱　杨忠 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 1917209.7 2019.11.26 GB G02F 1/025 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 G02B 6/12 (2006.01) 2022.07.26 G02B 6/122 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 G02F 1/017 (2006.01) PCT/EP2020/083242 2020.11.24 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/105138 EN 2021.06.03 (71)申请人 洛克利光子有限

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