半导体装置的形成方法及半导体装置

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113135549 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202110047525.0 H01L 25/075 (2006.01) (22)申请日 2021.01.14 (30)优先权数据 16/746,067 2020.01.17 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市 (72)发明人 吕文雄　黄晖闵　郑明达　林威宏　 颜晨恩　刘旭伦　 (74)专利代理机构 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人 聂慧荃　闫华 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) H01L 33/48 (2010.01) 权利要求书2页 说明书12页 附图12页 (54)发明名称 半导体装置的形成方法及半导体装置 (57)摘要 本公开实施例提供一种半导体装置的形成 方法及半导体装置。半导体装置的形成方法包含 将第一半导体基板的第一表面接合至第二半导 体基板的第一表面，且在第一半导体基板的第一 区中形成一空腔，其中形成空腔包括：供应钝化 气体混合物，在空腔的底表面及多个侧壁上沉积 钝化层，其中在钝化层的沉积时，钝化层在空腔 的底表面上的沉积速率与钝化层在空腔的多个 侧壁上的沉积速率相同；以及使用蚀刻气体蚀刻 第一半导