一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114348957 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202111661815.0 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人 杭州电子科技大学 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2 号大街 (72)发明人 巢炎　黄伟业　李彬　 (74)专利代理机构 浙江千克知识产权代理有限 公司 33246 代理人 周雷雷 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的 设备 (57)摘要 本发明公开了一种交变电场结合超声制备 硅纳米结构的设备，电机驱动两石墨电极旋转； 三个超声发生器分别装配在反应釜内部的底面 和两侧壁面上；一个超声发生器装配在釜端盖的 下表面上。本发明通过两对超声发生器在硅片表 面形成驻波场，使带电金属粒子停滞在驻波场的 驻波节点上；石墨电极通电使带电金属粒子沿交 变电场力方向运动，团聚在带电金属粒子周围的 腐蚀液中的酸在带电金属粒子带动下与硅片表 面反应；通过改变超声波频率和幅值改变驻波场 中驻波节点位置，改变在硅片上的刻蚀位置；电 A 机调整两石墨电极位置，使交变电场力方向改 7 变；改变交变电流的频率和幅值，调整微结构刻 5 9 8 蚀深度。本发明能按预设图案对硅片进行刻蚀。 4 3