一种高活性缺陷态氧化镁纳米薄片及其制备方法和应用
- 申请专利号:CN202111230925.1
- 公开(公告)日:2023-08-29
- 公开(公告)号:CN114014343A
- 申请人:湖北大学
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114014343 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111230925.1 (22)申请日 2021.10.22 (71)申请人 湖北大学 地址 430062 湖北省武汉市武昌区友谊大 道368号 (72)发明人 田丽红 刘孟平 (74)专利代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限 公司 42102 代理人 乔宇 (51)Int.Cl. C01F 5/02 (2006.01) B01J 23/02 (2006.01) B01J 35/00 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种高活性缺陷态氧化镁纳米薄片及其制 备方法和应用 (57)摘要 本发明公开了一种高活性缺陷态氧化镁纳 米薄片及其制备方法和应用。本发明以二价镁盐 为原料,以有机醇为溶剂,首先采用溶剂热法低 温合成前驱体,再经过控制煅烧处理制备表面缺 陷浓度可控的氧化镁纳米薄片。获得的氧化镁纳 米薄片尺寸较小,具有明显的多孔特征及丰富的 表面氧空位和低配位原子,因而表现出优异的 CO 捕获性能及光催化CO 还原活性。 2 2 A 3 4 3 4 1 0 4 1 1 N C CN
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